DUV光刻机主要用于生产光学线宽在65纳米及以上的芯片。随着技术的进步，DUV光刻机的分辨率也在不断提高，目前已经能生产出在7纳米以下的线宽。至于EUV光刻机，它采用极紫外光源作为曝光光源，可以实现更小的线宽。然而，EUV光刻机的研发和商业化进程一直颇具挑战性。中国在EUV技术领域的发展相对较晚，与国际一流水平仍有一定差距。总之，DUV光刻机可以生产的线宽范围广泛，而中国目前尚未实现商业化生产的EUV光刻机正处于发展阶段。
DUV光刻机主要用于生产光学线宽在65纳米及以上的芯片。随着技术的进步，DUV光刻机的分辨率也在不断提高，目前已经能生产出在7纳米以下的线宽。
至于EUV光刻机，它采用极紫外（EUV）光源作为曝光光源，可以实现更小的线宽。然而，EUV光刻机的研发和商业化进程一直颇具挑战性。中国目前正在推进EUV光刻机的研发和应用，在这方面取得了一些进展，但尚未完全实现商业化生产。中国在EUV技术领域的发展相对较晚，与国际一流水平仍有一定差距。
总之，DUV光刻机可以生产的线宽范围广泛，而中国目前尚未实现商业化生产的EUV光刻机正处于发展阶段。